$ 510.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF9240 es un MOSFET HEXFET® avanzado de un canal P de -200V, que cuenta con una geometría eficiente y un procesamiento único de este último diseño de última generación, una resistencia en estado muy baja combinada con alta transconductancia, energía inversa superior y recuperación de diodos Capacidad dv / dt. El transistor HEXFET también cuenta con todas las ventajas bien establecidas de MOSFET como control de voltaje, conmutación muy rápida, facilidad de paralelismo y estabilidad de temperatura de los parámetros eléctricos.

  • Clasificaciones de avalanchas repetitivas
  • Valor dinámico dV / dt
  • Sellado herméticamente
  • Requisitos de unidad sencilla

Información Básica

  • Polaridad: Canal P
  • Intensidad drenador continua Id: -11 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: -200 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 500 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): -10 V
  • Tensión umbral Vgs: -4 V
  • Disipación de potencia Pd: 125 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-3
  • 2 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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