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Transistor IRF650B Mosfet TO220 CH-N 200 V 28 A

Transistor IRF650B Mosfet TO220 CH-N 200 V 28 A

TRAIRF650B

$ 35.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRF650B de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF620PBF es un MOSFET de potencia de tercera generación de canal N de mejora de potencia que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de energía de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del envase contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.

 

  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva
  • Facilidad de paralelizar
  • Requisitos de unidad sencilla
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

     

Información Básica

  • Polaridad del transistorCanal N
  • Intensidad drenador continua Id: 5.2 A
  • Tensión drenaje f uente Vds: 200 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 2 V
  • Disipación de potencia Pd: 50 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.071 ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

FDP33N25

Documentación

Datasheet

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