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Transistor IRF644 Mosfet TO220 CH-N 250 V 14 A

Transistor IRF644 Mosfet TO220 CH-N 250 V 14 A

TRAIRF644

$ 35.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRF644N  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Tecnología robusta de avalancha
  • Tecnología de óxido de compuerta resistente
  • Capacidad de entrada más baja 
  • Carga de cimpuerta mejorada
  • Área de operación segura extendida
  • Corriente de fuga inferior: 10μA (Máx.) @ VDS = 250V
  • RDS inferior (ENCENDIDO): 0.214Ω (Típ.)
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 14 A
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: 250 V
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 125W
  • Resistencia de activación Rds (on) typ: 0.22 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura  de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO220
  • 3 Pines

    Sustituto

    NTE2900    FQP16N25   

    Documentación

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