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Descripción

El transistor IRF630A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

 

El IRF630 es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del envase contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.


  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva
  • Facilidad de paralelizar
  • Requisitos de unidad sencilla
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 9 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 36 A
    • Corriente de avalancha IAR: 9 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 72 W
    • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.4 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2374  IRF640  IRF640N

     

    Documentación

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