$ 48.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRF6215PBF es un HEXFET® quinta generación de canal P de potencia. El MOSFET de potencia utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona una operación extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.


  • Tecnología de proceso avanzada
  • Clasificación dV / dt dinámica
  • Total calificación de avalancha
  • Aplicaciones: Comercial, industrial, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal P
  • Intensidad drenador continua Id: -13 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: -150 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.29 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): -10 V
  • Tensión umbral Vgs: -4 V
  • Disipación de potencia Pd: 110 W
  • Resistencia de activación RDS (on) máxima: 0.29 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

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