$ 43.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRF620PBF es un modo de mejora de canal N de tercera generación. El MOSFET de potencia viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia de ENCENDIDO. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.


  • Clasificación dV / dt dinámica
  • Avalancha repetitiva calificada
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisitos sencillos de manejo
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, comercial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Corriente continua Id: 5.2 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
  • Resistencia (on): 800 mohm
  • RDS (on) Tensión de prueba Vgs: 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 2 V
  • Disipación de energía Pd: 50 W
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220AB
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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