$ 32.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRF614 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
Este mosfet IRF614 está diseñado para aplicaciones tales como como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relevadores y controladores para conmutación bipolar de  transistores de alta potencia que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de la compuerta.

 

  • Energía de avalancha de pulso único clasificada
  • SOA es Disipación de energía limitada
  • Velocidades de conmutación de nano segundos
  • Características de transferencia lineal
  • Alta impedancia de entrada
  • Literatura relacionada
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, comercial  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canla N 
  • Corriente de drenaje continua Id: 2 A
  • Tensión drenador-fuente (Vds): 250 V
  • Resistencia en estado conductor Rds(on): 2 Ohms
  • Tensión Vgs de prueba Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 20 W
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3 

Sustituto

IRF634

Documentación 

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