$ 72.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF640 es un mosfet de  potencia que ofrece al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia, es  un Mosfet confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.


 

  • Baja resistencia térmica
  • Modo de mejora
  • Velocidad de conmutación rápida
  • Avalancha probado al 100%
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 40 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 75 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 470 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 140 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

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