$ 49.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF3415 Tipo  de potencia de N-canal único de quinta generación de HEXFET® utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 43 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 150 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 42 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión Umbral Vgs: 4 V
  • Rango temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

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