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Transistor IRF2807 Mosfet TO220 CH-N 75 V 82 A

Transistor IRF2807 Mosfet TO220 CH-N 75 V 82 A

TRAIRF2807

$ 60.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF2807 Tipo T de potencia de canal N único HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.



  •  Tecnología avanzada de procesos
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Velocidad alta de conmutación
  • Resistencia de encendido ultra baja
  • Aplicaciones: Comercial, industrial, administración de potencia  

Especificaciones

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Intensidad drenador continua Id: 82 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 75 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 200 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.013 ohms
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2912  

Documentación

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