$ 56.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF150 potencia DE UN un solo canal N MOSFET 100V HEXFET® herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel.
Son adecuados para aplicaciones como conmutación fuentes de alimentación, controles del motor, inversores, choppers, audio amplificadores y circuitos de impulsos de alta energía.

  • Rango de avalancha repetitiva
  • Dynamic dv / dt Rating
  • Sellado herméticamente
  • Requisitos sencillos de manejo
  • Facilidad de paralelismo
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, controles de motor, inversores, choppers, amplificadores de audio y circuitos de pulsos de alta energía

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje drenaje fuente VDSS: 100 V
  • Voltaje compuerta fuente VGES: ± 20 V
  • Corriente drenaje continua ID: 40 A
  • ·  Corriente de drenaje pulsada IDM:152 A
  • Disipación potencia PD (TC=25°C): 150 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.055 Ω
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2392

     

    Documentación

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