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Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 A

Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 A

TRAIRF1310N

$ 93.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V HEXFET® Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada. 

 

  • Temperatura de trabajo 175 ° C
  • Cambio rápido
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Aplicaciones: Administración de potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 50 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±50 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 42 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 140 A
  • Corriente de avalancha IAR: 22 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 160 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.036 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

IRF3415PBF

Documentación

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