$ 75.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRF1010NPBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Aplicaciones: Automoción, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 85 A
  • Resistencia de activación Rds(on) : 0.011 ohm
  • Disipación de potencia Pd: 180 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

 

Productos Relacionados

Comentarios