$ 46.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRF1010 es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
  • Tecnología avanzada de procesos
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 85 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
  • Resistencia de activación Rds(on) : 0.011 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 130 W
  • Temperatura de trabajo máxima:. 175°C
  • Temperatura de trabajo mínima:. -55 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

 

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