$ 80.00 MXN

Precio Regular: $ 100.00
Precio incluye IVA

Descripción

Transistor Ultra fet mosfet de alta potencia HUFA75344P3  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) de canal N de 55V en paquete TO-220. Este MOSFET de potencia  muestra una densidad de embalaje extremadamente alta para resistencia de bajo estado, características de avalanchas rugosas y pasos de alineación menos críticos. Aplicable en aplicaciones de conmutación.

  • Modelos PSPICE y SABRE  con compensación de temperatura
  • Modelos de impedancia térmica PSPICE y SABRE 
  • Curva de pico de corriente vs ancho de pulso
  • Curva de calificación UIS
  • Aplicaciones: Administración de potencia, electrónica de consumo

Especificaciones

  • Tipo: UltraFet
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje drenaje a fuente Vdss:  55 V
  • Voltaje drenaje a compuerta Vdgr: 55 V
  • Voltaje compuerta a fuente Vgs: 20 V
  • Corriente de drenaje continuo Id: 75 A
  • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 285 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.0065 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

HUFA75343    IRFB3607    MTP75N06HD    NTP75N06

Documentación 

Datasheet

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