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Descripción

El GT45F122 es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N están disponibles en clasificaciones de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla de plasma (PDP), flashes estroboscópicos, etc.
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

 

  • El IGBT cuenta con cambio rápido
  • Bajo voltaje de saturación colector-emisor incluso en la gran área de corriente
  • La alta impedancia de entrada permite unidades de voltaje
  • Aplicaciones: Ideal para aplicaciones de inversores que reducen la pérdida de conmutación y por lo tanto, mejoran la eficiencia energética

Información Básica

  • Tipo de transistor: Mosfet IGBT
  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje máximo VDSS: 300 V
  • Corriente máxima ID: 200 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 25 W
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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