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Transistor FSM75N75 Mosfet TO220 CH-N 80 V 75 A

Transistor FSM75N75 Mosfet TO220 CH-N 80 V 75 A

TRAFSM75N75

$ 29.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  FSM75N75 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Capacidad excepcional de dv / dt
  • 100% avalancha probado
  • Capacidades intrínsecas bajas
  • Aplicaciones: Control del motor de CC, controladores de solenoide y relé, convertidores CC-CC, entorno automotriz

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 75 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 20 V
    • Corriente de drenaje ID: 80 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 320 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 200 W
    • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.0097 ohm
    • Temperatura de operación mínima: -55 °CC
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No aplica

    Documentación

    Datasheet

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