$ 19.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El FQPF5N60C es un QFET® de modo de potenciación de 600 v de canal N El MOSFET de potencia se produce utilizando la tecnología patentada de banda ancha y DMOS de Fairchild. Esta avanzada tecnología ha sido diseñada especialmente para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulso de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balasto electrónico de lámpara basado en la topología de medio puente. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
  • 100% Avalancha probada
  • Mayor fiabilidad del sistema en PFC y topologías de conmutación suave
  • Mejoras en la pérdida de conmutación
  • Pérdida de conducción más baja
  • Carga baja de la puerta

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 4.5 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 600 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 2.5 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 33W
  • Temperatura de trabajo Máx.: 150°C Canal-N
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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