$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQP9N50C de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

Estos  FQP9N50C transistores de efecto de campo de potencia de modo de canal N se producen utilizando tecnología DMOS de franja plana patentada de Fairchild. Esta tecnología avanzada ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo de conmutación y conmutación.


  • Capacidad dv / dt mejorada
  • Cambio rápido
  • Carga de puerta baja (típico 30 nC)
  • Crss bajo (típico 11 pF)
  • Avalancha probada al 100%
  • Aplicaciones: Para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección de factor de potencia activa, balasto de lámpara electrónica basado en topología de medio puente

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID: 9 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 36 A
    • Disipación de potencia (Tc=25°C): 135 W
    • Resistencia de activación Rds(on): 0.8 ohm
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

     

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