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Transistor FQP19N20 Mosfet TO220 CH-N 200 V 19.4 A

Transistor FQP19N20 Mosfet TO220 CH-N 200 V 19.4 A

TRAFQP19N20

$ 120.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FQP19N20  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El FQP19N20 es un MOSFET de potencia de canal N usando la banda plana propietaria de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido diseñada especialmente para reducir la resistencia en estado ON y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta resistencia a la energía de avalanchas. Es adecuado para las fuentes de alimentación conmutadas y para la corrección del factor de potencia activo (PFC).


  • Cambio rápido
  • Crss bajo (típico 85 pF)
  • Carga de puerta baja (40.5 nC típico)
  • Avalancha probado al 100%
  • Aplicaciones: Para conmutadores de CC / CC de conmutación de alta eficiencia, fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores de CC-CA para fuentes de alimentación ininterrumpidas y controles de motor

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID: 19 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 76 A
    • Corriente de avalancha: 19 A
    • Disipación de potenia (Tc=25°C): 139 W
    • Resistencia de activación Rds(on): 0.17 ohm
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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