$ 69.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El Transistor FQP17N40 Mosfet de canal N utiliza la banda plana patentada de Fairchild y la tecnología DMOS. Esta tecnología avanzada se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir el pulso de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Este dispositivo es ideal para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balasto electrónico basado en la topología de medio puente. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

 

  • Carga de puerta baja
  • Avalancha probado al 100%
  • Mejora de la confiabilidad del sistema en PFC y topologías de conmutación suave
  • Cambio de mejoras de pérdida
  • Menor pérdida de conducción
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia, corrección de factor de potencia activa, balastos de lámparas electrónicas basados en topología de medio puente.

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 400 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID: 16 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 64 A
    • Corriente de avalancha: 16 A
    • Disipación de potencia (Tc=25°C): 170 W
    • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.21 ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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