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Descripción

El transistor FQP16N25 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Tecnología de proceso avanzada
  • Qg bajo para una respuesta rápida
  • Alta capacidad de corriente pico repetitiva para un funcionamiento confiable
  • Tiempos de caída y subida cortos para una conmutación rápida
  • Capacidad de avalancha repetitiva para robustez y confiabilidad
  • Aplicaciones: Conmutación de alta eficiencia, fuentes de alimentación y control de motores

Información Básica

      • Polaridad del transistor: Canal N
      • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 250 V
      • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
      • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25 °C): 15.6 A
      • Corriente de drenaje pulsada IDP: 64 A
      • Corriente de avalancha IAR: 15.6 A
      • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 142 W
      • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 230 mOhms
      • Temperatura de operación mínima: -55 °C
      • Temperatura de operación máxima: 150 °C
      • Encapsulado: TO-220
      • Número de pines: 3

      Sustituto

      No Aplica

      Documentación

      Datasheet

       

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