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Transistor FGPF70N30 Mosfet IGBT TO-220 CH-N 300 V 70 A

Transistor FGPF70N30 Mosfet IGBT TO-220 CH-N 300 V 70 A

TRAFGPF70N30

$ 80.00 MXN

Precio Regular: $ 95.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FGPF70N30  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Al utilizar la tecnología unificada IGBT, el PDP IGBT de Fairchild proporciona baja conducción y pérdida de conmutación. El transistor FGPF70N30 ofrece la solución óptima para aplicaciones PDP en las que es esencial en un bajo nivel de condición.

 

  • Alta capacidad actual
  • Bajo voltaje de saturación: VCE(sat) = 1.4V@ Ic  = 40A
  • Alta impedancia de entrada
  • Cambio rápido
  • Aplicaciones: Sistemas PDP

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de colector a emisor VCES: 300 V
  • Voltaje de compuerta a emisor VGES: ±30 V
  • Corriente continua de colector Ic:: 70 A
  • Corriente de colector pulsada (Tc=25°C): 160 A
  • Disipación de potencia (Tc=25°C):  52 W
  • Temperatura de funcionamiento mínima:  -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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