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Transistor FGPF30N45T Mosfet IGBT TO-220 450 V 30 A
TRAFGPF30N45T
Descripción
El transistor FGPF30N45T bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y sistemas de alimentacióninterrumpida, entre otras aplicaciones.
El Transistor FGPF30N45T cuenta con la nueva tecnología IGBT de Trench, las nuevas series of IGBT de Fairchild ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones PDP donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
- Alta capacidad
- Bajo voltaje de saturación: VCE (sat)= 1.55V @ Ido = 30A
- Alta impedancia de entrada
-
Cambio rápido
- Aplicaciones: Sistema PDP donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de colector a emisor Vds: 450 V
- Voltaje de compuerta a emisor Vges: ±30 V
- Corriente continua colector Ic: 30 A
- Corriente de colector pulsada Icm: 120 A
- Disipación de potencia Pd(Tc=25°C): 50.4 W
- Temperatura de funcionamiento mínima: -55°C
- Temperatura de funcionamiento máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-220F
- Número de pines: 3
Sustituto
Documentación
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