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Descripción

El transistor BUZ11 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El BUZ11 esta diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor, controladores de relé y controladores para transistores de conmutación bipolares de alta potencia que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de compuerta. Este tipo puede ser operado directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

 

  •  Velocidad de conmutación de nanosegundos
  • Características de transferencia lineal
  • Alta impedancia de entrada
  • 170ns tiempo de otoño
  • Aplicaciones: Alta corriente, alta velocidad de conmutación, conductores de solenoides y relés, reguladores, convertidores DC-DC y DC-AC, control de motor, amplificadores de audio

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje máximo VDSS: 50 V
  • Voltaje máximo VGSS: ± 20 V
  • Corriente máxima ID: 33 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 134 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 90 W
  • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on):  0.04 Ω
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2389     IRFZ34N   MTP60N06HD 

    Documentación

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