$ 26.00 MXN

Precio Regular: $ 40.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  BUZ104 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Modo de mejora
  • Calificación avalancha
  • dv/ret clasificado
  • Bajo en resistencia
  • Temperatura de funcionamiento de 175 ° C
  • También en TO-220 SMD disponible
  • Aplicaciones: Administración de potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje máximo VDSS: 50 V
  • Voltaje máximo VGSS: ± 20 V
  • Corriente máxima ID: 17.5 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 70 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 40 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ:  0.07 Ω
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • 3 pines

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación conmutadas: Se utiliza para regular y transformar la energía de manera eficiente, minimizando la pérdida de calor gracias a su baja resistencia interna
  • Controladores de motores: Funciona como controlador (driver) en etapas de salida para motores de corriente directa (CD)
  • Control PWM: Permite la modulación por ancho de pulsos para regular la velocidad de motores o la intensidad lumínica
  • Reguladores de voltaje: Participa en circuitos reguladores y convertidores de potencia
  • Administración de energía: Se emplea en sistemas generales de electrónica industrial y de consumo que manejan voltajes de hasta 50 V y 17.5 A

Sustituto

BUZ71    IRF541   MTP20N06V

Documentación

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