$ 41.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor 30F124 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El transistor 30F124 Mosfet es utilizado para la circuitería de accionamiento de los paneles de visualización de plasma (PDP). Sin embargo, recientemente, los IGBT se usan comúnmente en aplicaciones de corriente grandes debido a su capacidad superior de conducción de corriente.


  • Tipo IGBT
  • De alta corriente
  • Aplicaciones: Pantallas de plasma

Especificaciones

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 300 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 200 A
  • Disipación de potencia PD (Tc=25°C): 25 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

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