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Descripción

El transistor 2SK3567 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Baja resistencia de la fuente de drenaje ON
  • Alta transferencia de admisión
  • Baja corriente de breakdown
  • Modo de mejora
  • Aplicaciones: Relé, convertidor DC-DC, accionamiento de motor

    Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal-N
    • Voltaje drenaje fuente VDSS: 600 V
    • Voltaje puerta fuente  VGSS: ± 30 V
    • Corriente drenaje  ID: 10 A
    • Corriente pulso máxima IDP: 40 A
    • Disipación de potencia  PD (TC=25°C): 40 W
    • Resistencia de disparo RDS (on) typ: 1.7 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55°C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220F
    • 3 pines

      Aplicaciones

      • Fuentes de alimentación conmutadas:  Fuentes de poder conmutadas (SMPS) y convertidores DC-DC
      • Control de motores: Circuitos de accionamiento y controladores para motores pequeños
      • Gestión de energía: Módulos para controladores de LED y pequeños inversores
      • Electrónica industrial:  Sistemas de control y cargadores o adaptadores de corriente

      Sustituto

      STP4NK60ZFP

      Documentación

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