$ 28.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. 

  • Alta velocidad de conmutación
  • Aplicaciones: Conmutación de alta corriente, reguladores de conmutación. UPS, convertidores CC-CC, amplificador de potencia de uso general

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje drenaje fuente  VDSS: 800 V
  • Voltaje puerta fuente  VGSS: ± 30 V
  • Corriente drenaje ID: 5 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 15 A
  • Disipación de potencia  PD (TC=25°C): 125 W
  • Resistencia RDS (ON): 1.8 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3PM
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2377  2SK2648     BUZ355

    Documentación

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