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Transistor 2SK1938 Mosfet Potencia CH-N 500 V 18 A

Transistor 2SK1938 Mosfet Potencia CH-N 500 V 18 A

TRA2SK1938

$ 87.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet 2SK1938 de potencia,  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Corriente de drenaje –ID = 18A @ TC = 25 ° C
  • Voltaje de la fuente de drenaje-: VDSS = 500V (Mín.)
  • Velocidad de conmutación rápida
  • Aplicaciones: Regulador de conmutación, UPS, amplificador de potencia de propósito general

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: ±18 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: ±72 A
  • Corriente de avalancha IAR: 18 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°C): 100 W
  • Resistencia RDS (ON) máxima: 0.35 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2970   2SK2372   2SK2837   FQA18N50V2   FQA24N50   IRFP460

Documentación

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