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Descripción

El 2N7000 es un transistor de efecto de campo de modo mejorado con canal N, fabricado con la tecnología DMOS de alta densidad de celdas de Fairchild. Estos transistores de efecto de campo de modo de mejora de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS de alta densidad celular, propiedad de Fairchild. Estos productos minimizan la resistencia en estado encendido al tiempo que brindan un rendimiento robusto, confiable y de conmutación rápida. Se pueden utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400 mA CC y pueden suministrar corrientes pulsadas de hasta 2 A. Estos productos son especialmente adecuados para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otros. cambiar aplicaciones.
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.


    • Tiempos de cambio rápidos
    • Robustez inductiva mejorada
    • Capacitancia de entrada más baja
    • Área de operación segura extendida
    • Fiabilidad mejorada a alta temperatura
    • Aplicaciones: Audio, procesado de señal

    Información Básica

      • Polaridad del transistor: Canal N
      • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
      • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
      • Corriente continua de drenaje ID: 200 mA
      • Corriente de drenaje pulsada IDP: 1 A
      • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 400 mW
      • Temperatura de operación mínima: -55 °C
      • Temperatura de operación máxima: 150 °C
      • Encapsulado: TO-92
      • Número de pines: 3

      Sustituto

      NTE491 

      Documentación

      Datasheet

      Wikipedia

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