$ 75.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor 2N6287 de potencia, PNP, bipolar complementario, darlington de poder, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El transistor tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación base-emisor incorporada.

  • Alta ganancia de corriente continua
  • Colector-emisor que sostiene el voltaje (Vce (sus) = 100VDC mínimo)
  • Tensión colector-base (Vcbo = 100V)
  • Voltaje emisor-base (Vcbo = 5V)
  • Aplicaciones: Industrial

Información Básica

  • Tipo: Darlington
  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector base VCBO: 100 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 100 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
  • Corriente de colector IC: 20 A
  • Corriente de colector pico IC: 40 A
  • Corriente de base IB: 0.5 A
  • Disipación de potencia de colector PC (Tc=25 °C): 160 W
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • Número de pines: 2

Sustituto

NTE252 2N6286

Documentación

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