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Transistor 2N6059 Potencia = 2N6058
TRA2N6059
Descripción
El 2N6059 es un transistor de base epitelial de silicio NPN de 100V con configuración monolítica de darlington diseñado para uso en aplicaciones de conmutación de potencia lineal y de baja frecuencia.
- Alta ganancia
-
Alta corriente
-
Alta disipación
- Diodo colector-emisor integrado antiparalelo
- Aplicaciones: Industrial
Información Básica
- Polaridad del transistor: NPN
- Voltaje colector emisor V (br) ceo: 100 V
- Disipación de potencia Pd: 150 W
- Corriente del colector DC: 12 A
- Ganancia de corriente DC hFE: 100 hFE
- Frecuencia de transición ft: 4 MHz
- Temperatura de funcionamiento mínima: -65°C
- Temperatura de funcionamiento máxima: 200°C
- Encapsulado: TO-3
- 2 pines
Sustituto
NTE247 2N6058
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