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Transistor 2N6059 Potencia = 2N6058

$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Cantidad

Descripción

Descripción

El 2N6059 es un transistor de base epitelial de silicio NPN de 100V con configuración monolítica de darlington diseñado para uso en aplicaciones de conmutación de potencia lineal y de baja frecuencia.

Alta ganancia
Alta corriente
Alta disipación
Diodo colector-emisor integrado antiparalelo
Aplicaciones: Industrial

Información Básica

Polaridad del transistor: NPN
Voltaje colector emisor V (br) ceo: 100 V
Disipación de potencia Pd: 150 W
Corriente del colector DC: 12 A
Ganancia de corriente DC hFE: 100 hFE
Frecuencia de transición ft: 4 MHz
Temperatura de funcionamiento mínima: -65°C
Temperatura de funcionamiento máxima: 200°C
Encapsulado: TO-3
2 pines

Sustituto

NTE247 2N6058

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