$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El 2N6059 es un transistor de base epitelial de silicio NPN de 100V con configuración monolítica de darlington diseñado para uso en aplicaciones de conmutación de potencia lineal y de baja frecuencia.

  • Alta ganancia
  • Alta corriente
  • Alta disipación
  • Diodo colector-emisor integrado antiparalelo
  • Aplicaciones: Industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector emisor V (br) ceo: 100 V
  • Disipación de potencia Pd: 150 W
  • Corriente del colector DC: 12 A
  • Ganancia de corriente DC  hFE: 100 hFE
  • Frecuencia de transición ft: 4 MHz
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -65°C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 200°C
  • Encapsulado: TO-3
  • 2 pines

Sustituto

NTE247  2N6058

Documentación

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