$ 187.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor 2N5884G potencia genérico de silicio complementario de alta potencia de 25A NPN diseñado para amplificador de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación.

  • Tensión baja de la saturación del colector-emisor (1VDC máximo VCE (sat) @ 15A DC IC)
  • Baja corriente de fuga (1mA DC máxima ICEX @ tensión nominal)
  • Excelente ganancia de corriente DC (20 hFE @ 10A DC IC como mínimo)
  • Aplicaciones: Industrial, Administración de Potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje colector base VCBO: 80 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 80 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
  • Frecuencia de transición  ft: 4 MHz
  • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 200 W
  • Corriente del colector DC Ic : 25 A
  • Ganancia de corriente DC  hFE:4 hFE
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 200°C
  • Encapsulado: TO-3
  • 2 pines

Sustituto

NTE180 MJ4502G MJ4502

Documentación

Datasheet

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