$ 13.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor 2N5195 media potencia diseñado para su uso en amplificador de potencia y la conmutación de excelentes límites de área de seguridad.

  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje colector base VCBO: 60 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 60 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
  • Frecuencia de transición  ft: 2 MHz
  • Disipación de Potencia Pc: 40 W
  • Corriente del colector DC Ic : 4 A
  • Ganancia de corriente hFE: 20 hFE
  • Temperatura de operación mínima:  -65
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-126
  • 3 pines

Sustituto

NTE185 BD238 2N5194G MJE171

Documentación

Datasheet

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