Inicio
» Transistor 1M30D-060 Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 30 A
Transistor 1M30D-060 Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 30 A

Transistor 1M30D-060 Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 30 A

TRA1M30D060

$ 88.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

  • Bajo voltaje de saturación
  • Menor disipación de potencia total
  • Inductancia de dispersión interna minimizada
  • Aplicaciones: Cambio de alta potencia,   A.C. controles del motor,  D.C. controles del motor,  fuente de poder ininterrumpible

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 58 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 232 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°C): 220 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado TO-3P
  • 3 pines

Sustituto

NTE3320

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios