$ 368.00 MXN

Precio Regular: $ 659.00
Precio incluye IVA

Descripción

El NTE6508 es una memoria RAM CMOS completamente estática de 1024 x 1 en un paquete tipo DIP de 16 derivaciones fabricado con tecnología de compuerta de silicio autoalineada. Se emplean técnicas de diseño de circuitos síncronos para lograr un alto rendimiento y una operación de baja potencia. Se proporcionan pestillos en el chip para la dirección, lo que permite una interfaz eficaz con los sistemas de microprocesador. Los búferes de salida de datos se pueden forzar a un estado de alta impedancia para su uso en matrices de memoria expandidas.


  • Bajo consumo de energía en espera: 50μW máxima
  • Funcionamiento de bajo consumo: 20mW / MHz
  • Tiempo máximo de acceso rápido: 300ns
  • Retención de datos máxima: Unidad de salida alta de entrada / salida compatible con TTL mínimo de 2 V: 2 cargas TTL
  • Registro de dirección en chip


Información Básica

  • Tipo de interfaz: Serial
  • Tipo de memoria: SRAM 
  • Tamaño de la memoria: 1 KB
  • Voltaje de operación mínimo: 4.5 V
  • Voltaje de operación máximo: 5.5 V
  • Tiempo de acceso: 300 ns
  • Temperatura de funcionamiento mínimo: -40 ° C
  • Temperatura de funcionamiento máximo: 85 ° C
  • Encapsulado: DIP
  • 16 pines

Sustituto

NTE6508

Documentación 

 

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