$ 17.00 MXN

Precio Regular: $ 25.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
  • Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
  • Robusto y confiable
  • Capacidad de corriente de alta saturación
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 200 mA
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 500 mA
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 350 mW
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-92
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE491 2N7000

    Documentación

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