$ 300.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El NTE29 (NPN) y NTE30 (PNP) son transistores de potencia complementarios en una carcasa tipo TO3 diseñados para su uso en aplicaciones de circuitos de conmutación y amplificadores de alta potencia. El NTE29 (NPN) y NTE30 (PNP) son transistores de potencia complementarios en una carcasa tipo TO3 diseñados para su uso en aplicaciones de circuitos de conmutación y amplificadores de alta potencia.

 
  • Capacidad de alta corriente: IC = 50A (continuo)
  • Ganancia de corriente CC: hFE = 15 a 60 @ IC = 25A
  • Voltaje de saturación colector-emisor bajo: VCE (sat) = 1V Max @ IC = 25A
  • Aplicaciones: Conmutación

Información Básica

    • Polaridad del transistor: NPN
    • Voltaje colector base VCBO: 80 V
    • Voltaje colector emisor VCEO: 80 V
    • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
    • Corriente de colector IC: 50 A
    • Corriente de base IB: 15 A
    • Disipación de potencia de colector PC (Tc=25 °C): 300 W
    • Temperatura de operación mínima: -65 °C
    • Temperatura de operación máxima: 200 °C
    • Encapsulado TO-3
    • Número de pines: 2

    Sustituto

    NTE29

    Documentación 

     

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