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M24C04-BN6 Memoria EEPROM

M24C04-BN6 Memoria EEPROM

CIM24C04BN6

$ 23.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Circuito integrado consta de  4 memorias programables eléctricamente borrables Kbit (EEPROM), organizadas en dos bloques de 256 x8 bits. 

 

  • Funcionamiento de bajo voltaje y voltaje estándar- 1.8 (VCC  = 1.8V a 5.5V)
  • Organizado internamente 512 x 8 (4K) o 1024 x 8 (8K)
  • Interfaz serie de two-wire
  • Disparador Schmitt, entradas filtradas para supresión de ruido
  • Protocolo de transferencia de datos bidireccional
  • Compatibilidad de 1 MHz (5 V), 400 kHz (1.8 V, 2.5 V, 2.7 V)
  • Pin de protección de escritura para protección de datos de hardware
  • 16-byte Page (4K, 8K) Modos de escritura
  • Escrituras parciales de página permitidas
  • Ciclo de escritura automático (5 ms máximo)
  • Alta fiabilidad
  • Resistencia: 1 millón de ciclos de escritura
  • Retención de datos: 100 años
  • PDIP de 8 derivaciones, JEDEC SOIC de 8 derivaciones, Ul de 8 derivaciones mini-MAP tra-Thin (MLP 2x3), SOT23 de 5 derivaciones, TSSOP de 8 derivaciones y 8-paquetes de pelota dBGA2
  • Sin plomo / libre de halógenos
  • Aplicaciones: Informática y periféricos informáticos, industrial, comunicaciones y red, electrónica de consumo, automoción

Especificaciones

  • Tipo de interface: 2 hilos, Serial
  • Tamaño de la memoria: 4 Kbit
  • Configuración de la memoria: 512 x 8
  • Frecuencia de reloj: 1 MHz
  • Tensión de alimentación mínima: 1.8 V
  • Tensión de alimentación máxima: 5.5V
  • Encapsulado DIP
  • 8 pines 

Sustituto

No Aplica

Documentación

 

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