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M27C512-10F1 Memoria CMOS EPROM and OTP EPROM
CIM27C51210F1
Descripción
Los modos de operación de la M27C512-10F1 se enumeran en la tabla modos de funcionamiento. Una sola fuente de alimentación se requiere en el modo de lectura. Todas las entradas tienen niveles TTL a excepción de GVPP y 12 V de A9 para la Firma Electrónica. El modo de lectura de M27C512 tiene dos funciones de control, los cuales deben ser lógicamente activa a fin de obtener los datos en las salidas.
El M27C512 es una memoria EPROM de 512 Kbit ofrecida en dos gamas UV (borrado ultra violeta) y OTP (una tiempo programable). Es ideal para aplicaciones rápidas y experimentación con requisitos importantes y organizado como 65.536 por 8 bits y cuenta con ventana cerámica o tapa transparente que permite al usuario exponer el chip a la luz ultravioleta para borrar el bit patern. Un nuevo patrón se puede escribir en el dispositivo siguiendo el procedimiento de programación. Para aplicaciones donde el contenido está programado sólo una vez y el borrado no es necesario.
- 5V ± 10% Tensión de suministro en la operación de lectura
- Tiempo de acceso: 45ns
- Consumo de “CMOS” de baja potencia:
–Activa Corriente 30mA
– Corriente de espera 100μA
- Voltaje de programación: 12.75V ± 0.25V
- Tiempos de programación de alrededor de alrededor 6 seg.
Especificaciones
- Tipo: Memoria CMOS EPROM-OPT
- Tamaño de la memoria: 512 Kbit
- Configuración de la memoria: 64 K x 8
- Tiempo de acceso: 90 ns
- Voltaje de alimentación mínimo: 4.5 V
- Voltaje de alimentación máximo: 5 V
- Temperatura de operación mínima: -40 °C
- Temperatura de operación máxima: 125 °C
- Encapsulado: DIP
- Número de pines: 28
Documentación
Nota: Producto CMOS usar pulsera antiestática
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