$ 16.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Los foto transistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia. Su construcción es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se expone a la luz a través de una ventana o lente.


 

  • Alta sensibilidad fotográfica
  • Alta sensibilidad radiante
  • Adecuada para radiación visible e infrarroja cercana
  • Tiempos de respuesta rápidos
  • Terminal base conectada
  • Paquete herméticamente sellado
  • Alta sensibilidad a la luz
  • Aplicaciones: Instrumentación y Medida  

    Especificaciones

    • Tipo: Foto transistor
    • Polaridad: NPN
    • Voltaje colector base VCBO: 80 V
    • Voltaje colector emisor VCEO: 70 V
    • Voltaje colector emisor base VEBO: 5 V
    • Corriente colector IC: 50 mA
    • Ángulo de sensibilidad media: φ = ± 10 °
    • Temperatura de operación mínima: -40 °C
    • Temperatura de operación máxima: 125°C
    • Encapsulado: TO-18
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    Sin aplicar

    Documentación

    Wikipedia

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