$ 184.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Los foto transistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia. Su construcción es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se expone a la luz a través de una ventana o lente.

  • Paquete herméticamente sellado
  • Ángulo de recepción estrecho
  • Sensibilidad @ mW / cm ²: 2mA@0.5mW / cm ²
  • Aplicaciones: Instrumentación y Medida  

Especificaciones

  • Tipo: Fototransistor
  • Polaridad: NPN
  • Voltaje colector base VCBO: 45 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 45 V
  • Voltaje emisor base VEBO:  5 V
  • Corriente colector  IC,: 2 mA
  • Disipación de poder  (Tc=25°C): 300 mW
  • Longitud de onda: 940 nm
  • Ángulo de visión: 10°
  • La mitad del ángulo: 15°
  • Longitud de onda pico de respuesta espectral: 940 nm
  • Tiempo de subida: 5μs
  • Tiempo de caída Tf: 5μs
  • Espacio entre pines: 2.54 mm
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -65°C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 125°C
  • Encapsulado TO-18
  • 3 pines

Sustituto

NTE3032 

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios