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D416C-3 CMOS

D416C-3 CMOS

CIMD416C3

$ 70.00 MXN

Precio Regular: $ 150.00
Precio incluye IVA

Descripción

Circuito integrado CMOS D416C-3 es una memoria de acceso aleatorio MOS dinámico de 16.384 palabras por 1 bit. Está diseñada para aplicaciones de memoria donde los objetivos importantes son el muy bajo costo y el gran almacenamiento de bits. Está fabricada con un proceso de puerta de silicio de doble capa de polietileno, canal N, que permite una alta celda densidad y alto rendimiento. El uso de circuitos dinámicos, incluidos los amplificadores de detección, asegura una disipación de potencia mínima.

 

  • Alta densidad de memoria
  • Entradas de direcciones multiplexadas
  • Disipación de baja potencia
  • Datos de salida controlados por CAS y desbloqueados al final del ciclo
  • Capacidad de lectura, modificación, escritura, solo actualización de RA y modos de página
  • Compatible con entradas TTL compatible y  baja capacitancia
  • 128 ciclos de actualización

 

Especificaciones

  • Tipo de memoria: DRAM - NMOS
  • Configuración de la memoria: 16 K x 1
  • Tiempo de acceso: 200 ns
  • Tamaño de página: 16 Kbit
  • Temperatura de operación mínima: 0°C
  • Temperatura de operación máxima: 70°C
  • Encapsulado DIP
  • 16 pines

Sustituto

NTE2117

Documentación

No Aplica

Nota: Dispositivo sensible a la estática, tomar precauciones

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