$ 90.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El circuito integrado SN74S289BJ es una memoria RAM volátil muy utilizadas en los MC para almacenar los datos temporalmente, y tiene características de ser volátil debido a que pierde los datos almacenados en ella cuando se desconecta de la alimentación. La RAM se denomina memoria de lectoescritura. La operación de ubicar un dato y visualizarlo se denomina lectura. Almacenar los datos se denomina escritura. Las cuatro entradas de dirección seleccionan una de 16 palabras de la memoria. El bit menos significativo de la dirección es A0, y el mas significativo A3. La entrada de la selección de chip (CE, chip enable), debe ser 0 para habilitar la memoria. Si CE es 1, la memoria queda inhabilitada. La entrada de habilitación de escritura (R/W, read/write) determina el tipo de operación, como se indica en la tabla de función. Se efectúa una escritura cuando R/W = 0. Ello consiste en una transferencia del número binario que está en las entradas de datos a la palabra seleccionada de la memoria. La operación de lectura se efectúa cuando R/W =1, y transfiere el valor de complemento almacenado en la palabra seleccionada, a las lineas de datos de la salida

  • Salidas de colector abierto para cableado y aplicaciones
  • Las entradas obstruidas minimizan la carga
  • Dirección de decodificación en chip
  • Las entradas fijadas de diodo minimizan el timbre
  • 64 Bit de alto rendimiento
  • Aplicaciones: Industrial

Especificaciones

  • Familia: TTL
  • Tipo de memoria: RAM
  • Ancho de pulso escrito: 25 ns
  • Voltaje de alimentación mínima: 4.75 V
  • Voltaje de alimentación máxima:5.25 V
  • Voltaje de salida máximo: 5.5 V
  • Voltaje de entrada máximo: 2 V
  • Corriente de salida de alto nivel: -6.5 mA
  • Corriente de salida de bajo nivel: 16 mA
  • Temperatura de operación mínima: 0 °C
  • Temperatura de operación máxima: 70 °C
  • Encapsulado: DIP
  • Número de pines: 16

Sustituto

NTE74S289

Documentación

Datasheet

Productos Relacionados

Comentarios