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Transistor TK8A60D Mosfet TO220 CH-N 600 V 7.5 A

Transistor TK8A60D Mosfet TO220 CH-N 600 V 7.5 A

TRATK8A60D

$ 19.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor TK8A60D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Baja resistencia de encendido de la fuente de drenaje: RDS (ON) = 0.8 (típico)
  • Alta admitancia de transferencia directa: | Yfs | = 4.0 S (típico)
  • Corriente de fuga baja: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 600 V)
  • Modo de mejora: Vth = 2.0 a 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
  • Aplicaciones: Regulador de conmutación

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 7.5 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 30 A
  • Corriente de avalancha IAR: 7.5 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 45 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.7 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2989    2SK1507    2SK2564    FQP10N60C   TK10A60D

Documentación

Datasheet

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