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Descripción

El transistor RFP14N05L de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El RFP14N05L  diseñado para usar en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, motor controladores y controladores de retransmisión. Estos transistores pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.Se puede conducir directamente desde los circuitos CMOS, NMOS y TTL
  • Curva de corriente pico vs ancho de pulso
  • Curva de clasificación UIS
  • Aplicaciones: Industrial

  • Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal-N
    • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 50 V
    • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 50 V
    • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 10 V
    • Corriente de drenaje continuo ID: 14 A
    • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 48 W
    • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.100 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -65 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • 3 pines

    Aplicaciones

    • Control de motores: Manejo de motores de corriente directa (DC) y control de velocidad por PWM
    • Fuentes conmutadas: Regulación y conversión de energía en fuentes de alimentación (switching)
    • Controladores de relevadores: Activación de solenoides, válvulas y relevadores electromecánicos
    • Etapas de salida:  Amplificación de potencia en circuitos digitales y analógicos

    Sustituto

    NTE2984  

    Documentación

    Datasheet

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