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Transistor FQA24N50 Mosfet Potencia CH-N 500 V 24 A

Transistor FQA24N50 Mosfet Potencia CH-N 500 V 24 A

TRAFQA24N50F

$ 119.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El FQA24N50 es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • 24 A, 500 V, RDS (encendido) = 0,2 Ω @ VGS = 10 V
  • Carga de puerta baja (típico 90 nC)
  • Crss baja (típico 55 pF)
  • Rápida conmutación
  • 100% probado contra avalanchas
  • Capacidad dv / dt mejorada
  • Diodo de cuerpo de recuperación rápida (máx., 250 ns)
  • Aplicaciones: Administración de potencia, iluminación, audio, control de motor

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 24 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 96 A
    • Corriente de avalancha IAR: 24 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 290 W
    • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.22 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-3P
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No aplica

    Documentación

    Datasheet

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