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IRFP064N Mosfet Potencia CH-N 55 V 110 A

IRFP064N Mosfet Potencia CH-N 55 V 110 A

TRAIRFP064N

$ 69.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFP064N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP064N es un rectificador internacional que utiliza avanzadas técnicas de procesamiento para lograr  ultra baja  resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y diseño de dispositivo robusto que los MOSFETs de potencia HEXFET ofrecen una tecnología avanzada de proceso. 
  • Evaluación dinámica dv / dt
  • Totalmente avalancha
  • Tecnología avanzada de procesos
  • Ultra bajo en resistencia de encendido
  • Conmutación rápida
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: 55 V
  • Intensidad drenador continua Id: 110 A
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 20 V
  • Disipación de potencia Pd: 200 W
  • Resistencia de activación Rds (on) máxima: 0.008 ohms
  • Temperatura mínima de operación: -55°C
  • Temperatura máxima de operación: 175°C
  • Encapsulado: TO-247AC
  • 3 pines

Sustituto

NTE2913 

Documentación

Datasheet

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