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Transistor IRFP360PBF Mosfet Potencia CH-N 400 V 23 A

Transistor IRFP360PBF Mosfet Potencia CH-N 400 V 23 A

TRAIRFP360

$ 170.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP360PBF es un MOSFET  de potencia de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete ofrece mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.


  • Clasificación dv/dt dinámica
  • Facilidad de paralelismo
  • Clasificado avalancha repetitiva
  • Orificio de montaje central aislado
  • Requerimientos controlador sencillo
  • Conmutación rápida
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, comercial  

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 400 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 23 A
  • Disipación de potencia Pd: 280 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.18 ohm
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

NTE2969

Documentación

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